[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片的制作方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片的制作方法，所述的制作方法在制备常规太阳能电池片和抗电势诱导衰减太阳能电池片工艺的基础上，改变了等离子预处理与臭氧处理的顺序，在不破坏SiO₂氧化膜的前提下，能够提高等离子预处理的时间。向硅片中注入大量的H离子，提高了硅片的抗光致衰减能力和抗电势诱导衰减能力。

主权项

1.一种晶体硅太阳能电池片的制作方法，包括以下步骤：S1：表面制绒：采用KOH溶液对含B硅片表面进行绒面处理，形成陷光结构；S2：制作PN结：在惰性气体的保护下，将两块硅片背对背放入扩散炉中，并向炉内通入POCl₃和O₂气体，炉内气压控制在5‑100KPa，在700‑900℃下加热，POCl₃和O₂充分反应生成的磷原子扩散至外围硅表面，形成N区，所述的N区与P区硅片的交界处形成PN结；S3：刻蚀清洗：将硅片放入含有HNO₃和HF的清洗液中，除去硅片上除正面以外的PN结；S4：等离子预处理：将硅片放入NH₃和N₂形成的等离子体中，使得H离子注入硅片中；S5：臭氧处理：将硅片放入含臭氧的气氛中，在硅片的表面形成一层SiO₂氧化膜；S6：等离子增强化学气相沉积镀膜：在100‑300mPa的压力下，将硅片置于SiH₄和NH₃形成的等离子中，在硅片的表面沉积氮化硅薄膜层；S7：电极制作：首先在电池的背面采用印刷法依次用银浆和铝浆印刷背电极和导电电极，所述的银浆和铝浆的印刷位置不重复；然后在电池的正面采用印刷法用银浆制作网格化电极。