[发明专利]一种共晶焊接工艺及用于实现该工艺中冷却工艺的冷却箱有效
申请号: | 201711120396.3 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107914102B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 周理明;倪洋;王毅 | 申请(专利权)人: | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K37/00;B23K101/36 |
代理公司: | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人: | 周全 |
地址: | 225008 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种共晶焊接工艺及用于实现该工艺中冷却工艺的冷却箱。涉及芯片加工工艺领域。提出了一种稳定性好、逻辑清晰且加工效率高,使用后了有效避免出现“飞芯”问题,从而大幅降低废品率、提升产品品质的共晶焊接工艺。用于将芯片焊接在框架上,芯片和框架均在轨道单向行走,共晶焊接工艺包括预热工艺、升温工艺、回流工艺和冷却工艺,轨道分为预热段、升温段、回流段和冷却段,冷却工艺为使框架和芯片在冷却段上匀速行走,冷却段沿物料行走方向平均分为冷却段一、冷却段二、冷却段三和冷却段四,冷却段一、冷却段二、冷却段三下方通入温度依次递减的冷却气体,冷却段四处在室温环境中。本发明大幅降低废品率、提升产品品质。 | ||
搜索关键词: | 一种 焊接 工艺 用于 实现 冷却 | ||
【主权项】:
1.一种用于实现共晶焊接工艺中冷却工艺的冷却箱,其特征在于,所述共晶焊接工艺用于将芯片焊接在框架上,所述芯片和框架均在轨道单向行走,所述共晶焊接工艺包括预热工艺、升温工艺、回流工艺和冷却工艺,所述轨道分为预热段、升温段、回流段和冷却段,其特征在于,所述冷却工艺为使框架和芯片在冷却段上匀速行走,所述冷却段沿物料行走方向平均分为冷却段一、冷却段二、冷却段三和冷却段四,所述冷却段一、冷却段二、冷却段三下方通入温度依次递减的冷却气体,所述冷却段四处在室温环境中;冷却段一、冷却段二和冷却段三处于冷却箱中,所述冷却箱包括箱体、一对隔板、三个进气阀和一个泄压阀,所述轨道贯穿所述箱体的上部,所述箱体的底面与轨道的间距沿物料行走方向逐渐变小,一对所述隔板均固定连接在箱体底面上、且隔板顶缘与轨道的底面留有间隙,使得箱体的下部被一对隔板分隔为空间一、空间二和空间三,所述进气阀固定连接在箱体的底部、且用于向箱体内通入冷却气体,三个所述进气阀分别处于空间一、空间二和空间三的底部,所述泄压阀固定连接在箱体的顶部、且用于避免箱体内气压过大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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