[发明专利]一种低热阻高响应频率大变形量电磁驱动MEMS变形镜及制作方法在审
| 申请号： | 201711115536.8 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107861236A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 孔庆峰;谢海忠;彭效冉 | 申请（专利权）人： | 明德之星（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B26/08 | 分类号： | G02B26/08 |
| 代理公司： | 北京华旭智信知识产权代理事务所(普通合伙)11583 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低热阻高响应频率大变形量电磁驱动MEMS变形镜，包括硅结构层；在硅结构层上形成的多层线圈，每个线圈具有垫点和中心点；覆盖所述多层线圈的介电层；在硅结构层的下表面的周边区域中形成的Si衬底层；以及在所硅结构层上封装所述多层线圈的变形镜面，其中所述变形镜面包括镜面薄膜，以及在镜面薄膜下表面的中心区域形成的连接凸点；其中，所述多层线圈的各层之间通过垫点或中心点进行接触，使得从硅结构层底起由下而上依次排序，所述多层线圈的奇数层与偶数层之间通过中心点接触，偶数层与奇数层之间通过垫点接触；在第一层线圈的垫点上以及最后一层线圈的垫点或者中心点上形成有与外部互联的两个焊点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低热 响应 频率 变形 电磁 驱动 mems 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低热阻高响应频率大变形量电磁驱动MEMS变形镜，包括:硅结构层11；在硅结构层11上形成的多层线圈16，每个线圈具有垫点和中心点；覆盖所述多层线圈16的介电层17；在硅结构层11的下表面的周边区域中形成的Si衬底层13；以及在所硅结构层11上封装所述多层线圈16的变形镜面，其中所述变形镜面包括：镜面薄膜32，以及在镜面薄膜32下表面的中心区域形成的连接凸点22；其中，所述多层线圈的各层之间通过垫点或中心点进行接触，使得从硅结构层11底起由下而上依次排序，所述多层线圈的奇数层与偶数层之间通过中心点接触，偶数层与奇数层之间通过垫点接触；在第一层线圈的垫点上以及最后一层线圈的垫点或者中心点上形成有与外部互联的两个焊点。
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