[发明专利]中子探测器及中子探测方法

摘要

本公开涉及中子探测技术，公开一种中子探测器及中子探测方法，中子探测器包括：中子探测阴极；以及容纳中子探测阴极以及阳极或阳极阵列的真空容器；中子探测阴极包括热中子俘获材料，入射热中子后能转换产生能直接探测的电子，中子探测阴极包括：支撑基板、电极层和中子俘获层，电极层位于支撑基板和中子俘获层之间；中子俘获层包含中子俘获材料，且中子俘获材料俘获中子后释放电子；支撑基板材质为中子透射材料，中子从中子俘获层朝向支撑基板的方向入射至中子俘获层，中子俘获层产生的电子从支撑基板朝向中子俘获层的方向上释放出；以此能对中子经过该俘获层转换的电子进行准确的倍增探测或者直接探测，进而实现对热中子的灵敏探测。

主权项

一种中子探测阴极，其特征在于，包括热中子俘获材料，入射热中子后能转换产生能直接探测的电子，所述中子探测阴极包括：支撑基板；电极层，设置于所述支撑基板上；以及中子俘获层，设置于所述电极层与所支撑基板相对的另一侧上，所述中子俘获层包含中子俘获材料，且所述中子俘获材料俘获中子后释放电子。