[发明专利]一种土遗址表面和内部温度变化的测量方法在审
申请号: | 201711106705.1 | 申请日: | 2017-11-10 |
公开(公告)号: | CN107907227A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 裴强强;郭青林;张博;王彦武;尚东娟;刘鸿;赵建忠 | 申请(专利权)人: | 敦煌研究院 |
主分类号: | G01K3/00 | 分类号: | G01K3/00;G01K1/14 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司62002 | 代理人: | 马正良 |
地址: | 734600*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明涉及一种土遗址表面和内部温度场影响的测量方法,通过在遗址内部合理布设若干传感器,并将测试温度数据绘制成温度等值线剖面图,通过与环境数据对比,评估环境对遗址内部温度影响程度。尤其突出赋存环境对遗址本体表面的温度场影响,其测试方法对研究遗址本体表面风化机制、赋存环境的影响机制、遗址本体温度场的变化规律等均具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 遗址 表面 内部 温度 变化 测量方法 | ||
【主权项】:
一种土遗址表面和内部温度变化的测量方法,其步骤是:a. 测前检查传感器 检测5TM土壤水分温度传感器(1),将传感器(1)的一端插入采集器(2),通过配套的数据线连接电脑,校正时间日期,按试验需求及仪器说明进行参数设置并对其编号;b. 传感器定位 温度场土体(3)的密度为1.70g/cm3,传感器布设于遗址本体内顶面651mm、底面1700mm、高3246 mm圆锥台范围内,圆锥台土体(3)分为A 1层、A‑B层、B‑C层、C‑D层、D‑E层、E‑F层、F‑G层、G‑H层、H‑I层,每层布设7个传感器;遗址本体周边两侧第一个传感器与遗址本体表面间距不小于50mm,第一个传感器与相邻的第二个传感器间距不小于70mm,其余传感器间距以不小于30mm布设;遗址本体顶面H‑I层和遗址本体的底部M层和N层布设传感器较密,顶面H‑I层为7个,传感器间距为10mm,底部9‑11 个,传感器之间间距为100mm,对埋置传感器的位置进行标记,然后将传感器(1)依次摆放在标记点上,并进行记录;c . 埋设传感器 传感器下方铺虚土并压实,确保传感器(1)紧密与土体(3)接触,用手固定传感器(1),然后在其上铺土,确保试验墙夯筑铺设虚土时传感器不会移动;d. 传感器铺土夯筑 先压传感器引线,将引线按顺序排列整齐,在引线上轻压少量的试验用土,固定导线,待传感器(1)和引线完全固定,按试验遗址本体地面至顶面A‑I层铺土;圆锥台土体(3)共分34层,即:A 1层、A‑B 1层、B‑C 3层、C‑D5层、D‑E 7层、E‑F 7层、F‑G 5层、G‑H 3层、H‑I 2层,每层54mm;每层铺土完毕后,至少用夯锤夯筑三‑六遍;e. 按顺序将传感器引线与采集器(2)相连接,采集间隔为5min,采集器通过传感器(1)开始采集土体(3)中的温度;f . 将所测剖面的温度数据建立坐标系,并进行网格划分,自遗址表面至内部的温度变化梯度若干个温度点,绘制温度等值线图;g. 与赋存环境数据进行对比,形成测试报告。
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