[发明专利]一种磷化铟单晶片的腐蚀方法在审
| 申请号： | 201711104614.4 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107723802A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 刘京明;杨凤云;王凤华;段满龙 | 申请（专利权）人： | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 李琳,王楠楠 |
| 地址： | 100080 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷化铟单晶片的腐蚀方法包括以下步骤S1将磷化铟单晶片放入浓硫酸中腐蚀；S2用去离子水冲洗磷化铟单晶片；S3将磷化铟单晶片放入稀盐酸中腐蚀；S4重复所述步骤S2；S5将磷化铟单晶片放入王水中腐蚀；S6重复所述步骤S2；S7晾干。本发明采用酸性腐蚀方式对切、磨后的磷化铟单晶片进行腐蚀处理，有效地去除了单晶片表面的损伤层及应力层，且可获得洁净的单晶片表面，满足后续加工要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种磷化铟单晶片的腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1将磷化铟单晶片放入浓硫酸中腐蚀；S2用去离子水冲洗磷化铟单晶片；S3将磷化铟单晶片放入稀盐酸中腐蚀；S4重复所述步骤S2；S5将磷化铟单晶片放入王水中腐蚀；S6重复所述步骤S2；S7晾干。
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