[发明专利]一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用有效
| 申请号： | 201711102694.X | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107916398B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王漪;董俊辰;韩德栋;李慧津;郁文;罗真;梁艺;周孝斌 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE‑AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％‑98％，铝元素1％‑10％，稀土元素1％‑14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 轴对称 结晶 氧化物 半导体 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控射频溅射工艺实现，具体为：溅射在室温下进行，采用硅、玻璃或柔性材料为衬底，溅射过程：首先将溅射设备背底气压抽至5×10
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