[发明专利]一种提高GaN基LED芯片外观良率的测试方法在审
| 申请号： | 201711087144.5 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109755144A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 彭璐;吴向龙;赵军华;徐晓强;王彦丽;肖成峰;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明一种提高GaN基LED芯片外观良率的测试方法。该方法是将异方性导电膜电气导通的Z方向垂直于芯片表面放置在芯片电极上，在异方性导电膜无需与芯片电极对位的情况下实现测试探针与所述芯片电极的非接触电连接，进行LED芯片测试。本发明在LED芯片测试中引入异方性导电膜，利用其不同维度导电性能的差异，实现测试针与芯片电极的非接触测量，达到无损测试、提高GaN基LED芯片外观良率的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片电极 异方性导电膜 测试 良率 非接触测量 测试探针 导电性能 电气导通 方向垂直 芯片表面 测试针 电连接 非接触 对位 维度 无损 引入 | ||
【主权项】：
1.一种提高GaN基LED芯片外观良率的测试方法，其特征在于，将异方性导电膜电气导通的Z方向垂直于芯片表面放置在芯片电极上，在异方性导电膜无需与芯片电极对位的情况下实现测试探针与所述芯片电极的非接触电连接，进行LED芯片测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
