[发明专利]一种改善薄膜沉积均匀度的方法有效

专利信息
申请号: 201711086329.4 申请日: 2017-11-07
公开(公告)号: CN107881486B 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种改善薄膜沉积均匀度的方法,该方法包括如下步骤:采用晶舟承载多片晶圆;所述晶舟具有头部和尾部,多片晶圆排列放置于晶舟的头部和尾部之间;在多片晶圆与晶舟头部,和/或在多片晶圆与晶舟尾部之间放置档控片;将承载有晶圆和档控片的晶舟置于反应炉管中并进行薄膜沉积;其中,所述档控片具有非平坦的表面结构。本发明导入具有非平坦表面结构的挡控片取代现有技术中的平坦的挡控片,藉由增加挡控片吸附面积增加吸附气体能力,可有效地降低临近挡控片产品边缘厚度,从而可有效改善芯片膜厚均匀度,平滑晶舟位置边缘良率损失的曲线以提升产品良率。
搜索关键词: 一种 改善 薄膜 沉积 均匀 方法
【主权项】:
1.一种改善薄膜沉积均匀度的方法,其特征在于,包括如下步骤:采用晶舟承载多片晶圆,所述晶舟具有头部和尾部,所述多片晶圆排列放置于所述头部和所述尾部之间,在所述多片晶圆与所述头部,和/或在所述多片晶圆与所述尾部之间放置挡 控片;及,将承载有所述晶圆和所述挡 控片的晶舟置于反应炉管中并进行薄膜沉积;其中,所述挡 控片具有非平坦表面结构,所述非平坦表面结构用于增加所述挡控片的吸附气体能力。
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