[发明专利]一种改善薄膜沉积均匀度的方法有效
申请号: | 201711086329.4 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN107881486B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种改善薄膜沉积均匀度的方法,该方法包括如下步骤:采用晶舟承载多片晶圆;所述晶舟具有头部和尾部,多片晶圆排列放置于晶舟的头部和尾部之间;在多片晶圆与晶舟头部,和/或在多片晶圆与晶舟尾部之间放置档控片;将承载有晶圆和档控片的晶舟置于反应炉管中并进行薄膜沉积;其中,所述档控片具有非平坦的表面结构。本发明导入具有非平坦表面结构的挡控片取代现有技术中的平坦的挡控片,藉由增加挡控片吸附面积增加吸附气体能力,可有效地降低临近挡控片产品边缘厚度,从而可有效改善芯片膜厚均匀度,平滑晶舟位置边缘良率损失的曲线以提升产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 薄膜 沉积 均匀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种改善薄膜沉积均匀度的方法,其特征在于,包括如下步骤:采用晶舟承载多片晶圆,所述晶舟具有头部和尾部,所述多片晶圆排列放置于所述头部和所述尾部之间,在所述多片晶圆与所述头部,和/或在所述多片晶圆与所述尾部之间放置挡 控片;及,将承载有所述晶圆和所述挡 控片的晶舟置于反应炉管中并进行薄膜沉积;其中,所述挡 控片具有非平坦表面结构,所述非平坦表面结构用于增加所述挡控片的吸附气体能力。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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