[发明专利]一种利用核衰变能量直接生产电能的装置在审
| 申请号： | 201711086109.1 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN107749317A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 徐陟 | 申请（专利权）人： | 北京华航北斗能源科技有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知识产权代理有限公司11282 | 代理人： | 杨树芬 |
| 地址： | 102209 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用核衰变能量直接生产电能的装置，所述装置包括N板电流收集装置，P板电流收集装置的，N型半导体板，P型半导体板，β辐射源，防辐射罩，其中，β辐射源的上部设置有N型半导体板，β辐射源的下部设置有P型半导体板，N板电流收集装置、P板电流收集装置分别位于N型半导体板的上表面和P型半导体板的上表面，防辐射罩用于罩住所述装置，本发明所述装置的优越效果在于，使得核聚变装置结构简单、实用，为人类提供洁净、环保、小型化能源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 衰变 能量 直接 生产 电能 装置 | ||
【主权项】：
一种利用核衰变能量直接生产电能的装置，所述装置包括：N板电流收集装置，P板电流收集装置的，N型半导体板，P型半导体板，β辐射源，防辐射罩，其中，β辐射源的上部设置有N型半导体板，β辐射源的下部设置有P型半导体板，N板电流收集装置、P板电流收集装置分别位于N型半导体板的上表面和P型半导体板的上表面，防辐射罩用于罩住所述装置。
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