[发明专利]一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法

摘要

一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法，包括如下步骤：a)腐蚀掉GaAs衬底，并腐蚀掉外延生长的阻挡层GaInP；b)蒸镀一层GeAu膜，光刻制得欧姆接触电极图形；c)去除正性光刻胶，制得N面欧姆接触图形；d)通过光刻制得粗化保护图形；e)形成N型粗化层；f)对N型AlGaInP层进行湿法粗化，去除正性光刻胶，制得N型AlGaInP粗化表面。通过先将键合完成的AlGaInP四元LED芯片的衬底、阻挡层全部腐蚀去除，再在表面蒸镀上一层GeAu膜作为N型欧姆接触电极，再在表面制备粗化保护图形，通过粗化保护图形的作用将无粗化保护的N型AlGaInP层通过ICP刻蚀、湿法粗化的方式进行表面粗化处理，避免了反极性AlGaInP四元LED芯片粗化效果不稳定的问题，增加了出光效率，提升了芯片的品质。

主权项

1.一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法，其特征在于，包括如下步骤：a)键合完成的AlGaInP四元LED芯片腐蚀掉GaAs衬底，并腐蚀掉外延生长的阻挡层GaInP；b)将经过步骤a)处理后的AlGaInP四元LED芯片上通过电子束蒸镀方式蒸镀一层GeAu膜，在所述GeAu膜表面涂正性光刻胶，通过光刻制得欧姆接触电极图形；c)去除正性光刻胶，制得N面欧姆接触图形；d)在经过步骤c)处理后的AlGaInP四元LED芯片表面涂正性光刻胶，通过光刻制得粗化保护图形；e) 通过ICP刻蚀对AlGaInP四元LED芯片无粗化保护区域的重掺层去除且刻蚀到N型AlGaInP层，形成N型粗化层；f) 对N型AlGaInP层进行湿法粗化，去除正性光刻胶，制得N型AlGaInP粗化表面。