[发明专利]一种提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法有效
| 申请号： | 201711081002.8 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109755356B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 胡夕伦;闫宝华;刘琦;彭璐;徐现刚;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，包括如下步骤：a)将在硅衬底上生长完毕的GaN外延片表面进行化学清洗；b)将蒸镀反射镜后的GaN外延片的正面图形化并进行刻蚀；c)沉积一层二氧化硅；d)去除二氧化硅层；e)对N型GaN外延层外露的表面进行等离子体处理；f)形成N型欧姆接触；g)将GaN外延片进行衬底剥离、键合、电极焊盘制作，并测试芯片的正向电压。可有效防止后续高温键合对N型欧姆接触产生不利影响而导致电压升高的现象，有效改善键合后欧姆接触性能降低、芯片电压升高的现象，提高产品良率和器件的光电性能，提升器件光电参数和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 gan 发光二极管 内置 欧姆 接触 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将在硅衬底上生长完毕的GaN外延片表面进行化学清洗，去除GaN外延片表面污染物和氧化物；b)将化学清洗后的GaN外延片表面的正面蒸镀反射镜，将蒸镀反射镜后的GaN外延片的正面图形化并进行刻蚀，直至N型GaN外延层露出；c)利用等离子体增强化学气相沉积法在GaN外延片正面沉积一层二氧化硅，形成绝缘层；d)去除N型GaN外延层表面沉积的二氧化硅层；e)利用反应离子刻蚀法对N型GaN外延层外露的表面进行等离子体处理；f) 在N型GaN外延层表面蒸镀N电极，形成N型欧姆接触；g)将 GaN外延片进行衬底剥离、键合、电极焊盘制作，并测试芯片的正向电压。
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