[发明专利]一种银掺杂类石墨碳涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711071627.6 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN107881466B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 蒋百铃;邵文婷;张新宇;马俊 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/16;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/58
代理公司: 南京钟山专利代理有限公司 32252 代理人: 李小静
地址: 211816 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种银掺杂类石墨碳涂层的制备方法,包括以下步骤:(1)将经前处理的基体置于装有Cr靶、C靶和Ag靶的真空腔内进行等离子体清洗;(2)以Cr靶为蒸发源,以氩气为工作气体,在真空条件下采用离子镀工艺在经步骤(1)处理后的基体上沉积一层Cr缓冲层;(3)以C靶和Ag靶为蒸发源,以氩气为工作气体,在真空条件下采用离子镀工艺在步骤(2)所得的Cr缓冲层上沉积一层银掺杂类石墨碳涂层;(4)保持真空条件不变,对经步骤(3)处理后的基体进行热处理,使类石墨涂层中的银在碳团簇界面形成短小银线,并使类石墨涂层中的银在热处理条件下于类石墨涂层中发生团聚。该方法可抑制银掺杂类石墨碳涂层中银自发逸出。
搜索关键词: 一种 掺杂 石墨 涂层 及其 制备 方法
【主权项】:
一种银掺杂类石墨碳涂层的制备方法,包括以下步骤:(1)将经前处理的基体置于装有Cr靶、C靶和Ag靶的真空腔内,在真空条件下进行等离子体清洗;(2)以Cr靶为蒸发源,以氩气为工作气体,在真空条件下采用离子镀工艺在经步骤(1)处理后的基体上沉积一层Cr缓冲层;(3)以C靶和Ag靶为蒸发源,以氩气为工作气体,在真空条件下采用离子镀工艺在步骤(2)所得的Cr缓冲层上沉积一层银掺杂类石墨碳涂层;(4)保持真空条件不变,对经步骤(3)处理后的基体进行热处理,使类石墨涂层中的银在碳团簇界面形成短小银线,并使类石墨涂层中的银在热处理条件下于类石墨涂层中发生团聚。
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