[发明专利]一种薄片二极管的生产方法在审
| 申请号： | 201711069014.9 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107845575A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 段利军;苏力;周韬平 | 申请（专利权）人： | 浙江人和光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L23/495 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙)33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 315322 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄片二极管的生产方法，取整块导电金属片，在几何上分为A区和B区，在A区开设通槽，A区和B区仍然连为一体；在B区安装二极管芯片；在二极管芯片上安装跳线，与A区相连；封装二极管芯片；沿A区通槽上的合适位置进行裁切，令A区和B区在几何上相分离。本发明在初始状态下二极管正负极端为连接状态，封装后进行切断处理，这样可以有效的避免了焊接跳线后以及封装过程中产生的变形力损坏芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄片 二极管 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种薄片二极管的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：1）取整块导电金属片，在几何上分为A区和B区，在A区开设通槽，A区和B区仍然连为一体；2）在B区安装二极管芯片；3）在二极管芯片上安装跳线，与A区相连；4）封装二极管芯片；5）沿A区通槽上的合适位置进行裁切，令A区和B区在几何上相分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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