[发明专利]包括高电阻基板的半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201711068704.2 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN108022840A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | O·科农丘克;I·贝特朗;L·卡佩洛;M·波卡特 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种包括高电阻基板的半导体元件的制造方法。制造半导体元件的方法包括快速热处理步骤，快速热处理步骤将包括电阻率大于1000欧姆·厘米的基底的基板暴露于能够使基底的电阻率变差的峰值温度。根据本发明，在快速热处理的步骤之后进行矫正热处理，所述矫正热处理将基板暴露于800℃和1250℃之间的矫正温度中，并且具有下述冷却速率：当矫正温度在1250℃和1150℃之间时，小于5℃/秒；当矫正温度在1150℃和1100℃之间时，小于20℃/秒；以及当矫正温度在1100℃和800℃之间时，小于50℃/秒。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电阻 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体元件的制造方法，该方法包括快速热处理的步骤，所述快速热处理的步骤将包括电阻率大于1000欧姆·厘米的基底(2)的基板(1)暴露至峰值温度，所述峰值温度能够使基底(2)的电阻率变差，所述方法的特征在于，在快速热处理的步骤之后进行矫正热处理，所述矫正热处理将基板暴露至在800℃和1250℃之间的矫正温度，并具有下述冷却速率：-当矫正温度在1250℃和1150℃之间时，冷却速率小于5℃/秒，-当矫正温度在1150℃和1100℃之间时，冷却速率小于20℃/秒，以及-当矫正温度在1100℃和800℃之间时，冷却速率小于50℃/秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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