[发明专利]具有混合深沟槽隔离的图像传感器

摘要

本申请案涉及具有混合深沟槽隔离DTI的图像传感器。所述图像传感器包含安置于半导体材料中所述半导体材料的第一侧与第二侧之间的多个光电二极管。所述图像传感器还包含安置于所述半导体材料中的多个混合DTI结构，其中所述多个光电二极管中的个别光电二极管由个别混合DTI结构分离。所述个别混合DTI结构包含从所述半导体材料的所述第一侧朝向所述第二侧延伸的浅部分，且所述浅部分包含电介质区及金属区，使得所述电介质区的至少一部分安置于所述半导体材料与所述金属区之间。所述混合DTI结构还包含深部分，所述深部分从所述浅部分延伸且安置于所述浅部分与所述半导体材料的所述第二侧之间。

主权项

1.一种图像传感器，其包括：多个光电二极管，其安置于半导体材料中所述半导体材料的第一侧与第二侧之间；及多个混合深沟槽隔离(DTI)结构，其安置于所述半导体材料中，其中所述多个光电二极管中的个别光电二极管是由所述多个混合深沟槽隔离(DTI)结构中的个别混合深沟槽隔离(DTI)结构分离，所述个别混合深沟槽隔离(DTI)结构中的每一者包含：浅部分，其从所述半导体材料的所述第一侧朝向所述第二侧延伸，其中所述浅部分包含电介质区及金属区，使得所述电介质区的至少一部分安置于所述半导体材料与所述金属区之间，其中所述浅部分的所述电介质区包含第一电介质及第二电介质，其中所述第二电介质的至少一部分安置于所述第一电介质与所述金属区之间；及深部分，其从所述浅部分延伸且安置于所述浅部分与所述半导体材料的所述第二侧之间。