[发明专利]制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构

摘要

本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si_1‑yGe_y层、Si_1‑xGe_x层、第二驰豫Si_1‑yGe_y层、应变Si_1‑rGe_r层及应变硅层，r、x及y为自然数，0<r<1，0<y<r，0<x<1，其中所述应变Si_1‑rGe_r层中r由上至下逐渐减小。此结构可以使金属氧化物半导体场效应晶体管和异质结双极晶体管同时达到高性能，并与现有的Si加工工艺完全兼容，在现有的工艺条件下，由此层结构构成的双极互补金属氧化半导体器件很容易实现。

主权项

1.一种制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，其特征在于，所述硅基多层结构由下至上依次包括：低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si_1-yGe_y层、Si_1-xGe_x层、第二驰豫Si_1-yGe_y层、应变Si_1-rGe_r层及应变硅层，r、x及y为自然数，0<r<1，0<y<r，0<x<1，所述应变Si_1-rGe_r层中r由上至下逐渐减小，应变Si_1-rGe_r层中r减小的速率由上至下逐渐减小，所述Si_1-xGe_x层中x由上至下逐渐增大。/n