[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法在审
申请号: | 201711056829.3 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107887401A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 姜怡雯;李志伟;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种背照式图像传感器及其制造方法,包括支撑衬底;布线层,包括金属布线层以及包围所述金属布线层的介质层,所述金属布线层包括用于图像传感器互连的互连金属层以及用于电引出的引出金属层;金属塞,包括与所述互连金属层相连的互连金属塞,以及与所述引出金属层相连的引出金属塞;背照式图像传感器芯片,其正面的电路通过所述互连金属塞与所述互连金属层电性连接;凹槽,形成于所述背照式图像传感器芯片中且露出有所述引出金属塞;以及金属衬垫,形成于所述凹槽中并与所述引出金属塞电连接。本发明只需通过一次光刻工艺便可实现背照式图像传感器芯片的电性引出,本发明工艺比较简单,可大大降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背照式图像传感器的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:1)提供一背照式图像传感器芯片,于所述背照式图像传感器芯片表面形成金属塞以及布线层,所述布线层包括用于图像传感器互连的互连金属层以及用于电引出的引出金属层,所述金属塞包括与所述互连金属层相连的互连金属塞,以及与所述引出金属层相连的引出金属塞,其中,所述背照式图像传感器芯片正面的电路通过所述互连金属塞与所述互连金属层电性连接;2)提供一支撑衬底,将所述支撑衬底固定于所述布线层表面;3)于所述背照式图像传感器芯片中形成露出所述引出金属塞的凹槽;以及4)于所述凹槽中形成与所述引出金属塞电连接的金属衬垫,以实现所述背照式图像传感器的电性引出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711056829.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的