[发明专利]一种氮化钛原子层沉积装置及其沉积方法有效
申请号: | 201711053892.1 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107868944B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 秦海丰;史小平;李春雷;纪红;赵雷超;张文强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮化钛原子层沉积装置及其沉积方法,通过对源瓶出口管路、钛的前驱体传输管路进行分段梯度升温加热、对前级管路进行分段梯度降温加热,以及将氧化剂吹扫管路直接接入真空泵而不经过腔室,并在ALD反应中通过提高氧化剂与钛的前驱体蒸气之间的流量比例、进行工艺前的管路预处理,以及多次将腔室和管路抽真空,可降低腔室尤其是前级管路内颗粒的产生,延长真空泵的维护周期,提高使用寿命,并可有效清除前驱体和氧化剂在管路和腔室壁的残留,降低非预期反应的发生以及降低杂质污染,不仅可提高薄膜的纯度,而且避免了复杂的气体处理系统设置。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 原子 沉积 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氮化钛原子层沉积装置,其特征在于,包括:/n反应腔室,其通过前级管路连接真空泵;/n钛的前驱体传输管路,其一端连接反应腔室,另一端与载气及吹扫气体管路的一端对接,所述载气及吹扫气体管路与钛的前驱体传输管路接口的两端之间还并联设有用于装载钛的前驱体的源瓶;其中,所述源瓶通过源瓶进口管路接入载气及吹扫气体管路,并通过源瓶出口管路接入钛的前驱体传输管路;/n载气及吹扫气体管路,其一端分别连接钛的前驱体传输管路和源瓶,另一端连接载气及吹扫气体源;/n腔室压强维持管路,其一端接入钛的前驱体传输管路后连接反应腔室,另一端接入载气及吹扫气体管路;/n氧化剂传输管路,其一端连接反应腔室,另一端连接氧化剂源;/n氧化剂吹扫管路,其一端连接至载气及吹扫气体源,另一端在依次经氧化剂传输管路上游接入并由氧化剂传输管路下游接出后,直接接入真空泵;/n其中,所述源瓶出口管路、钛的前驱体传输管路、前级管路上设有加热单元,以对源瓶出口管路、钛的前驱体传输管路进行分段梯度升温加热,以及对前级管路进行分段梯度降温加热。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的