[发明专利]硅锗集成光探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅锗集成光探测器及其制备方法，在硅衬底的同一侧分别生长单晶硅和生长单晶锗，得到对应的硅光探测单元和锗光探测单元，在硅衬底生长有单晶硅和单晶锗的一侧，对应于硅光探测单元和锗光探测单元的位置进行与硅衬底相反的掺杂，在硅衬底形成掺杂的一侧形成与硅光探测单元和锗光探测单元电连接的电连接通路单元，在硅衬底形成有电连接通路单元的一侧沉积金属层，对金属层进行干法刻蚀处理后形成导电图案，导电图案覆盖电连接通路单元、硅光探测单元和锗光探测单元。锗与硅同属一族，锗材料可以很好地外延生长在硅衬底上，将硅锗集成在同一硅衬底上，增强了探测器的性能，扩大了探测器探测光的范围。

主权项

1.一种硅锗集成光探测器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅衬底的同一侧分别生长单晶硅和生长单晶锗，得到对应的硅光探测单元和锗光探测单元；在所述硅衬底生长有单晶硅和单晶锗的一侧，对应于所述硅光探测单元和所述锗光探测单元的位置进行与所述硅衬底相反的掺杂；在所述硅衬底形成掺杂的一侧形成与所述硅光探测单元和所述锗光探测单元电连接的电连接通路单元；在所述硅衬底形成有所述电连接通路单元的一侧沉积金属层，对所述金属层进行干法刻蚀处理后形成导电图案，所述导电图案覆盖所述电连接通路单元、所述硅光探测单元和所述锗光探测单元。