[发明专利]一种利用ZnO颗粒外延生长制备Zn-Sn-O超晶格纳米颗粒的方法有效
| 申请号： | 201711034675.8 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107857294B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曹宝宝;王清钢;徐博家;谭家宁 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 王沙沙 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用ZnO颗粒外延生长制备Zn‑Sn‑O超晶格纳米颗粒的方法，包括以下步骤：步骤1：Zn‑Sn‑O前驱体的制备；将乙醇胺置于乙二醇甲醚溶剂中，得到有机物饱和溶液；将SnCl4·5H2O和Zn(CH3COO)2·2H2O按Sn和Zn原子比为1：1加入到有机物饱和溶液；搅拌形成凝胶，老化后得到所需Zn‑Sn‑O前驱体；步骤2：Zn‑Sn‑O超晶格纳米颗粒制备；将ZnO颗粒置于乙二醇甲醚溶剂中得到ZnO颗粒溶液；超声粉碎、抽泡后加入步骤1中制备的Zn‑Sn‑O前驱体，并搅拌均匀得混合溶液；将混合溶液超声粉碎并抽泡后进行干燥，最后进行退火后得到目标产物；本发明制备方法简单、环境友好、价格低廉；制备的Zn‑Sn‑O超晶格纳米颗粒粒度分布均匀、纯度高、分散性好、结晶完整、易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 zno 颗粒 外延 生长 制备 zn sn 晶格 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用ZnO颗粒外延生长制备Zn‑Sn‑O超晶格纳米颗粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：Zn‑Sn‑O前驱体的制备将乙醇胺置于乙二醇甲醚溶剂中，得到乙醇胺‑乙二醇甲醚混合溶液；将SnCl4·5H2O和Zn(CH3COO)2·2H2O按Sn和Zn原子比为1：1加入到有机物饱和溶液；在70℃条件下搅拌一定时间，形成凝胶，室温条件下老化后得到所需Zn‑Sn‑O前驱体；步骤2：Zn‑Sn‑O超晶格纳米颗粒制备将ZnO颗粒置于乙二醇甲醚溶剂中，并搅拌均匀得到ZnO颗粒溶液；将ZnO颗粒溶液超声粉碎、抽泡后加入步骤1中制备的Zn‑Sn‑O前驱体，并搅拌均匀得混合溶液；将混合溶液超声粉碎并抽泡后进行干燥，最后进行退火后得到目标产物；所述步骤2中退火的温度为900℃，退火时间为45min。
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