[发明专利]一种半导体器件的制备方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤，A对ITO透明导电衬底进行预处理；B在ITO透明导电衬底的透明导电膜上形成沟槽；C采用去离子水冲洗形成沟槽的混合溶液，并氮气吹干所述衬底；D、继续将衬底置于打印平台上，在所述沟槽位置打印氧化锌墨水；E、最后置于保护性气氛中于300℃进行热退火，完成器件制备。本发明的制备方法简单，成本低，可操作性强；并且采用打印方式形成ITO沟槽，与传统的图形化光刻与酸腐蚀导电层方法制作电极图形的方法相比，不会造成大量腐蚀液排放污染。

主权项

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A、对具有ITO透明导电膜的衬底进行预处理：采用丙酮、乙醇、蒸馏水分别对衬底进行超声清洗，之后烘干，烘干后将其置于紫外臭氧机中处理30分钟；B、将具有ITO透明导电膜的衬底置于具有加热作用的打印平台上，去除部分ITO透明导电膜在衬底上形成ITO透明导电膜沟槽；其中，打印形成沟槽的方法为： 将衬底升温至100℃，然后采用气流喷印按照设计的预定图形在ITO透明导电膜上打印盐酸、柠檬酸、聚乙二醇和水的混合溶液；C、采用去离子水冲洗所述混合溶液，并氮气吹干所述衬底；D、继续将衬底置于打印平台上，在所述沟槽位置打印氧化锌墨水，并于150℃下烘干10分钟；E、最后置于保护性气氛中于300℃进行热退火，完成器件制备。