[发明专利]一种基于CMOS工艺的单端转差分跨阻放大器在审
| 申请号： | 201711029804.4 | 申请日： | 2017-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107749744A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 毛陆虹;周高磊;谢生 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F3/08;H03F3/45 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300192*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种基于CMOS工艺的单端转差分跨阻放大器，第一MOS管的栅极和第三MOS管的漏极通过第一电阻连接电源，第二MOS管的栅极和第四MOS管的漏极通过第四电阻连接电源，第一MOS管和第二MOS管的漏极对应通过第二电阻和第三电阻连接电源，第一MOS管的源极分别连接第二电容的一端、第五电阻的一端和单端电流信号输入端，第二MOS管的源极分别连接第一电容的一端和第六电阻的一端，第二电容的另一端连接第四MOS管的栅极，第五电阻和第六电阻的另一端接地，第一电容另一端连接第三MOS管的栅极，第三MOS管的源极和第四MOS管的源极均接地，第一MOS管和第二MOS管的漏极分别构成第一输出端和第二输出端。本发明提升跨阻放大器增益，降低噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 工艺 单端转差分跨阻 放大器 | ||
【主权项】：
一种基于CMOS工艺的单端转差分跨阻放大器，包括第二MOS管(M2)和第四MOS管(M4)，其特征在于，还设置有第一MOS管(M1)和第三MOS管(M3)，所述第一MOS管(M1)的栅极和第三MOS管(M3)的漏极通过第一电阻(R1)连接电源(VDD)，所述第二MOS管(M2)的栅极和第四MOS管(M4)的漏极通过第四电阻(R4)连接电源(VDD)，所述第一MOS管(M1)的漏极通过第二电阻(R2)连接电源(VDD)，所述第二MOS管(M2)的漏极通过第三电阻(R3)连接电源(VDD)，所述第一MOS管(M1)的源极分别连接第二电容(C2)的一端、第五电阻(R5)的一端以及单端电流信号输入端(Iin)，所述第二MOS管(M2)的源极分别连接第一电容(C1)的一端和第六电阻(R6)的一端，所述第二电容(C2)的另一端连接第四MOS管(M4)的栅极，第五电阻(R5)的另一端接地，第一电容(C1)另一端连接第三MOS管(M3)的栅极，第六电阻(R6)的另一端接地，所述第三MOS管(M3)的源极和第四MOS管(M4)的源极均接地，所述第一MOS管(M1)的漏极构成第一输出端(VO1)，所述第二MOS管(M2)的漏极构成第二输出端(VO2)。
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