[发明专利]半导体器件、RC-IGBT和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201711020326.0 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN108122970A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 山田和宽 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;吕世磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施例，半导体器件100包括：包括第一主表面和第二主表面的半导体衬底1；发射极电极46；栅极布线49；集电极电极43；沿着平行于第一主表面的平面中的一个方向延伸的第一单位单元区10和沿着一个方向延伸的第二单位单元区20，其中第一单位单元区10和第二单位单元区20的半导体衬底1包括N‑型漂移层39、N型空穴阻挡层38、沟槽电极13、P型主体层36、绝缘膜35、N型场停止层41和P+型集电极层42，并且第二单位单元区20包括被装配到集电极层42中且沿着一个方向延伸的N型阴极层47。 | ||
| 搜索关键词： | 单位单元 半导体器件 方向延伸 主表面 集电极层 衬底 半导体 发射极电极 集电极电极 空穴阻挡层 沟槽电极 栅极布线 绝缘膜 漂移层 停止层 阴极层 主体层 平行 装配 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括第一主表面和第二主表面的半导体衬底；设置在所述第一主表面中的发射极电极和栅极布线；设置在所述第二主表面中的集电极电极；以及当从所述第一主表面的一侧看时沿着平行于所述第一主表面的平面中的一个方向延伸的第一单位单元区和在所述一个方向上延伸的第二单位单元区，其中所述第一单位单元区和所述第二单位单元区的所述半导体衬底包括：第一导电类型的漂移层；第一导电类型的空穴阻挡层，其被设置成比所述漂移层更靠近所述第一主表面并且在所述一个方向上延伸；成对的沟槽电极，其以使得在垂直于所述一个方向的另一个方向上从所述空穴阻挡层的两侧将所述空穴阻挡层夹住的方式进行设置，并且在所述一个方向上延伸；第二导电类型的主体层，其被设置成比所述空穴阻挡层更靠近所述第一主表面，在所述一个方向上延伸，并且被连接至所述发射极电极；绝缘膜，其被设置在所述沟槽电极与所述漂移层、所述空穴阻挡层以及所述主体层之间；第一导电类型的场停止层，被设置成比所述漂移层更靠近所述第二主表面；和第二导电类型的集电极层，其被设置成比所述场停止层更靠近所述第二主表面，并且被连接至所述集电极电极；所述第一单位单元区的所述沟槽电极被连接至所述栅极布线；所述第二单位单元区的所述沟槽电极被连接至所述发射极电极，且所述第二单位单元区的所述半导体衬底包括第一导电类型的阴极层，所述阴极层被装配到所述集电极层中，在所述一个方向上延伸，并且连接所述集电极电极和所述场停止层。
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