[发明专利]手动贴膜边缘去氧化层的制程方法在审
| 申请号： | 201711018021.6 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109686692A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李汉生;蔡雪良;曹杰 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/311 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215316 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，适用于去除晶片边缘氧化层的工艺。制程方法包括下列步骤：使用吸笔垂直将晶片从专用篮中取出，放置在治具上；抽取篮膜，将蓝膜的定位孔对准治具上的定位针，用滚轴压平篮膜；确认蓝膜平坦，边缘无气泡，使用吸笔将晶片放置于专用篮；开始边缘氧化层去除；边缘氧化层去除完成的晶片转移至清洗专用篮，按顺序在药剂槽中浸泡，使蓝膜脱落，完成后将晶片旋干。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝膜 制程 氧化层去除 去氧化层 晶片 贴膜 吸笔 治具 晶片边缘 晶片放置 晶片转移 定位孔 定位针 氧化层 药剂槽 滚轴 压平 去除 浸泡 抽取 对准 清洗 平坦 取出 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种手动贴膜边缘去氧化层的制程方法，适用于去除晶片边缘氧化层的工艺，其特征在于，所述制程方法包括：(a)使用吸笔将晶片从晶片篮中取出，放置在治具上；(b)抽取篮膜，将蓝膜的定位孔对准治具上的定位针，自然放下，再用滚轴压平篮膜；(c)确认边缘无气泡，使用吸笔将晶片拿起，放回晶片篮中；(d)开始边缘氧化层去除；(e)边缘氧化层去除完成的晶片转移至脫膜站，在藥液槽中浸泡，使蓝膜自然脱落，完成后将晶片旋干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山中辰矽晶有限公司，未经昆山中辰矽晶有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711018021.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
