[发明专利]一种对微纳米结构清洗并修复损伤方法在审
| 申请号： | 201711016057.0 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109713078A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 赵晨;陶智华;郑飞;张忠卫;阮忠立 | 申请（专利权）人： | 上海神舟新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B29/06;C30B33/10 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 201112 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对微纳米结构清洗并修复损伤方法，将需要处理的硅片浸入混合溶液中，控制混合溶液的温度为15‑30℃，浸渍1‑10min，完成对硅片的微纳米结构清洗并修复绒面损伤，混合溶液含有体积比1‑10％的氢氧化钾、0.1‑3％的氨水、0.1‑2％的双氧水。与现有技术相比，本发明可以对金属辅助化学腐蚀得到的微纳米结构进行多孔硅和损伤去除，并进行金属离子去除。 | ||
| 搜索关键词： | 微纳米结构 损伤 清洗 硅片 修复 双氧水 氨水 浸渍 金属离子去除 混合溶液中 化学腐蚀 混合溶液 金属辅助 控制混合 氢氧化钾 浸入 多孔硅 体积比 绒面 去除 | ||
【主权项】：
1.一种对微纳米结构清洗并修复损伤方法，其特征在于，该方法将需要处理的硅片浸入混合溶液中，控制混合溶液的温度为15‑30℃，浸渍1‑10min，完成对硅片的微纳米结构清洗并修复绒面损伤，所述的混合溶液含有体积百分比含量为1‑10％的氢氧化钾、0.1‑3％的氨水、0.1‑2％的双氧水。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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