[发明专利]一种优化GaN基LED芯片性能的制备方法

摘要

本发明提供一种优化GaN基LED芯片性能的制备方法，包括如下步骤：制作外延层‑制作透明导电层‑制作N电极引出孔‑去除光刻胶‑形成隔离沟槽‑去除光刻胶和SiO2掩膜层‑制作绝缘层‑制作电极；本发明通过采用SiO2掩膜层过腐蚀方法，结合电感耦合等离子体（ICP）刻蚀，使得LED芯片隔离沟槽的侧壁呈现倒梯形结构，对于倒装LED芯片和高压LED芯片，可以使隔离沟槽侧壁的SiO2沉积均匀，有效防止漏电情况的出现，优化生产良率；对于高压LED芯片，在铺设电极连接桥时，电极可以沿着侧壁的梯形结构到达隔离沟槽底部，再从隔离沟槽底部沿着侧壁的梯形结构上升到另一个芯片的电极上，避免侧壁桥接电极出现断层的现象，增强了电极的稳定性，减少死灯概率，优化生产良率。

主权项

一种优化GaN基LED芯片性能的制备方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一. 制作外延层：提供一衬底（1），在所述衬底（1）上依次生长缓冲层（2）、N‑GaN层（4）、多量子阱（5）、P‑GaN层（6），完成GaN基外延层（3）的制作；步骤二. 制作透明导电层（7）：利用电子束蒸镀或磁控溅射技术，在GaN外延层（3）上表面蒸镀ITO，通过图形化光刻胶的遮挡，采用HCl溶液对ITO进行蚀刻，形成透明导电层（7）；步骤三. 形成N电极引出孔：在图形化光刻胶的遮挡下，继续依次干法刻蚀P‑GaN层（6）、多量子肼（5）、N‑GaN层（4），形成N电极引出孔，使孔内的N‑GaN层（4）暴露出来；步骤四. 去除光刻胶：通过湿法去胶液将图形化光刻胶去除；步骤五. 形成隔离沟槽（12）：在透明导电层（7）表面和N电极引出孔内依次沉积SiO2掩膜层、图形化光刻胶，在图像化光刻胶的遮挡下，对SiO2掩膜层进行湿法腐蚀，再采用电感耦合等离子体干法刻蚀，对透明导电层（7）和GaN基外延层（3）继续刻蚀，直至刻蚀到衬底（1），完成隔离沟槽（12）刻蚀；步骤六. 去除光刻胶和SiO2掩膜层：利用湿法腐蚀将图形化光刻胶和SiO2掩膜层去除；步骤七. 制作绝缘层（10）：在透明导电层（7）表面、N电极引出孔内和隔离沟槽（12）内，通过PECVD沉积SiO2层，在图形化光刻胶的遮挡下，对SiO2层进行湿法腐蚀，使N电极引出孔内的N‑GaN层（4）和部分透明导电层（7）裸露出来，完成绝缘层（10）的制作；步骤八. 制作电极：利用电子束蒸发在裸露处淀积金属，在N电极引出孔内的N‑GaN层（4）上形成N电极（9），在透明导电层（7）上形成P电极（8），完成LED芯片的制备。