[发明专利]多晶黑硅的扩孔工艺有效
| 申请号： | 201711005422.8 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107805845B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 章圆圆;常振宇;陈其成 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶黑硅的扩孔工艺，先采用金属辅助湿法化学刻蚀，将金刚线切割多晶硅片制备成带纳米孔洞的多晶黑硅；再分两步对上述带纳米孔洞的多晶黑硅进行扩孔处理。本发明通过双槽两步扩孔工序，使扩孔反应可控，能分别控制预扩孔、再扩孔的腐蚀深度和腐蚀效果，获得外观良好、CTM较高且具有蜂巢结构孔洞的多晶黑硅。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 扩孔 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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