[发明专利]包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件有效
| 申请号: | 201711002821.9 | 申请日: | 2017-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN107978683B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
| 发明(设计)人: | 卡斯滕·洛特;多玛果伊·帕维奇科;杰罗姆·加尼耶;维金塔斯·扬库什;金亨宣;金炳求 | 申请(专利权)人: | 诺瓦尔德股份有限公司;三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 吴润芝;郭国清 |
| 地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及包含n型电掺杂剂和电子传输基质的有机半导体材料以及包含该半导体材料的电子器件。具体地,本发明涉及有机半导体材料以及包含所述半导体材料的电子器件,特别涉及电致发光器件,特别是有机发光二极管(OLED),其中所述半导体材料包含第一电子传输基质化合物和n型电掺杂剂;本发明还涉及包含所述电器件和/或电致发光器件的器件,特别涉及显示器件,特别涉及包含所述OLED的显示器件。 | ||
| 搜索关键词: | 包含 掺杂 电子 传输 基质 有机 半导体材料 以及 电子器件 | ||
【主权项】:
一种有机半导体材料,其包含至少一种电子传输基质和至少一种n型电掺杂剂,其中所述电子传输基质包含至少一种根据化学式I的第一基质化合物:其中A1、A2、A3和A4独立地选自单键、未取代或取代的C6至C30亚芳基和未取代或取代的C1至C30亚杂芳基;A5选自未取代或取代的C6至C40芳基基团和/或未取代或取代的C2至C40杂芳基基团;R1至R5独立地是取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团;a至e独立地是0或1的整数并且4≤a+b+c+d+e≤5;其中在式(I)中,所述被取代的基团中,至少一个氢被以下代替(i)氘,(ii)卤素,(iii)C2至C60叔氨基基团,其中所述叔氨基基团的氮原子被两个独立选择的C1至C30烃基基团取代或所述C2至C60叔氨基基团的氮原子形成C1至C30杂环基团,(iv)C2至C60氧化膦基团,其中所述氧化膦基团的磷原子被两个独立地选自烃基、卤代烃基和烃氧基的C1至C30基团取代或所述氧化膦基团的磷原子形成C1至C30杂环基团,(v)C1至C22甲硅烷基基团,(vi)C1至C30烷基基团,(vii)C1至C10烷基甲硅烷基基团,(viii)C6至C22芳基甲硅烷基基团,(ix)C3至C30环烷基基团,(x)C2至C30杂环烷基基团,(xi)C6至C30芳基基团,(xii)C2至C30杂芳基基团,(xiii)C1至C20烷氧基基团,(xiv)C1至C30全氟烃基基团,(xv)C1至C10三氟烷基基团,或(xvi)氰基基团。
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