[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种GaN基LED外延结构，包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂Si的U型GaN层、掺杂Si的N型GaN层、V型开角层、有源层和P型GaN层，有源层包括第一子层和第二子层，第一子层包括电子扩散层，电子扩散层为由InxGa1‑xN层和AlYGa1‑YN层间隔交替组成的超晶格层，其中0<X<1,0≤Y<1；还公开了一种GaN基LED外延结构的制作方法，采用MOCVD技术，在衬底上依次生长缓冲层、未掺杂Si的U型GaN层、掺杂Si的N型GaN层、V型开角层、有源层和P型GaN层。本发明能够形成具有电子扩散层的高效稳定的GaN基LED外延结构，解决了局部大电流的问题，能够改善光衰，提高LED的发光效率和寿命。

主权项

一种GaN基LED外延结构，包括衬底(6)以及依次层叠在所述衬底(6)上的缓冲层(1)、未掺杂Si的U型GaN层(2)、掺杂Si的N型GaN层(3)、V型开角层(4)、有源层(5)和P型GaN层(7)，其特征在于：所述有源层(5)包括第一子层(51)和第二子层(52)，所述第一子层(51)包括电子扩散层，所述电子扩散层为由InxGa1‑xN层(511)和AlYGa1‑YN层(512)间隔交替组成的超晶格层，其中0<X<1,0≤Y<1。