[发明专利]芯片封装方法及芯片封装结构有效
| 申请号: | 201710989683.1 | 申请日: | 2017-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN109698154B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
| 发明(设计)人: | 陈彧 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/367 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种芯片封装方法及芯片封装结构,所述芯片封装方法,先在正常厚度的元件晶圆的正面上粘贴导热率较高的第一载体用于在元件晶圆背面减薄工艺中支撑元件晶圆,并将背面减薄过程中产生的额外热量快速转移,降低对元件晶圆的不利影响;然后将所述第一载体替换为导热率较低的第二载体,或者在所述元件晶圆的背面上粘贴导热率较低的第二载体并去除所述第一载体,以用于在背面减薄后转移元件晶圆的过程中支撑元件晶圆,便于对元件晶圆操作,避免元件晶圆翘曲,以及在后续的晶片堆叠过程中,利用第二载体的导热率相对第一载体较低的特点,使得热量得到很好的保温维持,解决了由于第一载体高导热率造成的高流通量瓶颈的问题。 | ||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一具有正面和背面两相对表面的元件晶圆,在所述元件晶圆的正面上粘贴第一载体;对所述元件晶圆的背面进行减薄;将所述元件晶圆的正面上的所述第一载体替换为第二载体,或者在所述元件晶圆的背面上粘贴第二载体并去除所述第一载体,所述第二载体的导热率低于所述第一载体;在所述元件晶圆的与所述第二载体所在面相对的表面上堆叠晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710989683.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能电池板举升抓取方法
- 下一篇:包括升降的引导部的基板处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





