[发明专利]一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法有效

专利信息
申请号: 201710985676.4 申请日: 2017-10-20
公开(公告)号: CN107746076B 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 房永征;郑新峰;刘玉峰;侯京山;张娜;赵国营;张若愚;李倩倩 申请(专利权)人: 上海应用技术大学
主分类号: C01G30/00 分类号: C01G30/00
代理公司: 31001 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 吴宝根<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 200235 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法,先将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中,所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种;在室温下搅拌至反应物溶解,然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天,最后离心、干燥即得Cu3SbS4半导体纳米晶材料。本发明采用的原料来源广泛,使用过程中对环境无污染,制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。
搜索关键词: 强碱 反应釜 制备 半导体纳米晶 反应物前驱体 环境无污染 可溶性铜盐 纳米晶材料 加热反应 氢氧化钾 氢氧化钠 去离子水 真空烘箱 制备工艺 反应物 硫化锑 氧化铜 放入 硫源 锑硫 密封 溶解
【主权项】:
1.一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法,其特征在于包括如下步骤:/n1)将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中,所述的锑硫化合物选自Sb2S3或者[C3H7NH3]2Sb4S7中的任意一种;所述的可溶性铜盐选自硝酸铜、硫酸铜或乙酸铜中的任意一种,所述的硫源选自硫脲或者硫粉;/n2)所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种;含锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水的物料比为4-30mmol:10-20mmol:2-20mmol:5-35g:10-30mL;/n3)在室温下搅拌5-30min至反应物溶解,然后将反应釜密封放入到180-240℃的真空烘箱中加热反应1-5天,最后离心、洗涤、干燥即得四硫化锑三铜纳米晶材料。/n
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