[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201710985571.9 申请日: 2017-10-20
公开(公告)号: CN108110115A 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 尹灵峰;王江波 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 322000 浙江省金华市义*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法,属于半导体技术领域。芯片包括外延片和电极,电极包括粘附层、保护层、第二打线层和第一打线层,粘附层、保护层、第二打线层和第一打线层依次层叠在外延片上,第一打线层为Al膜,第二打线层包括多个第一子层和多个第二子层,多个第一子层和多个第二子层交替层叠在保护层上,各个第一子层为Ni膜,各个第二子层为Al膜。本发明一方面通过第二子层增加整个打线层中Al膜的厚度,降低芯片的电压,另一方面通过第一子层隔断Al膜,避免Al膜层由于厚度太大而向周围扩散,改善芯片的外观,避免引起芯片漏电。
搜索关键词: 子层 打线层 保护层 芯片 发光二极管芯片 外延片 粘附层 电极 半导体技术领域 交替层叠 依次层叠 漏电 隔断 制作 扩散
【主权项】:
1.一种发光二极管芯片,所述发光二极管芯片包括外延片和电极,所述电极包括粘附层、保护层和第一打线层,所述粘附层、所述保护层和所述第一打线层依次层叠在所述外延片上,所述第一打线层为Al膜,其特征在于,所述发光二极管芯片还包括第二打线层,所述第二打线层设置在所述保护层和所述第一打线层之间,所述第二打线层包括多个第一子层和多个第二子层,所述多个第一子层和所述多个第二子层交替层叠在所述保护层上,各个所述第一子层为Ni膜,各个所述第二子层为Al膜。
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