[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及指纹识别器件有效

专利信息
申请号: 201710984474.8 申请日: 2017-10-20
公开(公告)号: CN107768310B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 邸云萍 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/8249 分类号: H01L21/8249;H01L27/06;G06K9/00
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及指纹识别器件,该阵列基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成一层多晶硅层,对多晶硅层进行构图,多晶硅层的图案在衬底基板上的正投影位于多个目标区域内;采用第一掺杂工艺,向对应于PIN型二极管的第一子区域,以及P型晶体管的第一子区域和第二子区域内的多晶硅层掺P型离子;采用第二掺杂工艺,向对应于PIN型二极管的第二子区域,以及N型晶体管的第一子区域和第二子区域内的多晶硅层掺N型离子。本发明实施例提供的制作方法,实现了将晶体管的工艺制程与PIN型二极管的工艺制程集成到一起,从而简化阵列基板的工艺流程,降低成本。
搜索关键词: 一种 阵列 制作方法 指纹识别 器件
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述阵列基板,包括多个目标区域组,每个所述目标区域组至少包括两个不同的目标区域;每一个所述目标区域为PIN型二极管或P型晶体管或N型晶体管,且每一个所述目标区域分为第一子区域,第二子区域,以及位于所述第一子区域和所述第二子区域之间的第三子区域;所述阵列基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成一层多晶硅层,对所述多晶硅层进行构图,所述多晶硅层的图案在所述衬底基板上的正投影位于多个所述目标区域内;采用第一掺杂工艺,向对应于所述PIN型二极管的所述第一子区域,以及所述P型晶体管的所述第一子区域和所述第二子区域内的所述多晶硅层掺P型离子;采用第二掺杂工艺,向对应于所述PIN型二极管的所述第二子区域,以及所述N型晶体管的所述第一子区域和所述第二子区域内的所述多晶硅层掺N型离子。
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