[发明专利]一种用于氮化铝籽晶的加工工艺在审
| 申请号： | 201710982928.8 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107972193A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;刘理想;贺广东;王琦琨;龚加玮;雷丹;黄嘉丽 | 申请（专利权）人： | 苏州奥趋光电技术有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B24B37/00;B24B1/00;B24B55/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215699 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于氮化铝籽晶的加工工艺，采用X射线对氮化铝籽晶进行晶向测定，测量精度高；采用金刚石线进行切割，能够克服氮化铝材料由于硬度及脆性较大给切割带来的困难；采用研磨工艺，可以有效去除切割后氮化铝材料的表面损伤；采用机械抛光工艺，可以保证氮化铝材料具有较高的表面质量；采用化学机械抛光工艺，同时通过物理作用与化学作用，可以在机械抛光的基础上进一步提高氮化铝籽晶的表面质量；采用有机溶剂进行清洗，可以防止酸碱或离子水对氮化铝籽晶表面的轻微腐蚀。该加工工艺使制得的氮化铝籽晶具有优异的翘曲度、总厚度变化及表面粗糙度，完全能够满足外延生长的需要，能够长出尺寸较大、质量较好的氮化铝晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 氮化 籽晶 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于氮化铝籽晶的加工工艺，氮化铝籽晶用于同质外延生长氮化铝单晶，其特征在于：包括以下步骤：（1）定向：通过X射线对所述氮化铝籽晶进行晶向测定；（2）切割：通过金刚石线对定向后的所述氮化铝籽晶进行切割；（3）研磨：通过研磨盘对切割后的所述氮化铝籽晶进行研磨，研磨时加入研磨液；（4）机械抛光：通过固设于第一抛光盘上的第一抛光垫对研磨后的所述氮化铝籽晶进行机械抛光，机械抛光时加入第一抛光液；（5）化学机械抛光：通过固设于第二抛光盘上的第二抛光垫对机械抛光后的所述氮化铝籽晶进行化学机械抛光，化学机械抛光时加入第二抛光液；（6）清洗：采用第一有机溶剂对化学机械抛光后的所述氮化铝籽晶进行清洗。
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