[发明专利]在衬底上生长GaN平面纳米线的方法在审
| 申请号： | 201710969739.7 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN107881554A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 伊晓燕;伍绍腾;刘志强;黄洋;程成;王蕴玉;綦成林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;C30B29/60;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在衬底上生长GaN平面纳米线的方法，包括如下步骤步骤1将衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2在清洗的衬底上蒸镀一层金属薄膜；步骤3把蒸镀有金属薄膜的衬底倒立放在反应炉的托盘上，在衬底与托盘之间形成狭缝；步骤4提升反应炉温度，通入反应气源，在衬底上生长平面的GaN纳米线；步骤5关闭气源，将温度降至室温，完成GaN平面纳米线的制备。本发明不需要在衬底上制造图形，处理工艺简单，大大的降低了生长成本；本纳米线是水平外延生长在衬底上，与现代电子技术中传统的平面法兼容(晶体管的制备过程)，有利于后续器件制备；晶体质量优良，有利于提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 gan 平面 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底上生长GaN平面纳米线的方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：在清洗的衬底上蒸镀一层金属薄膜；步骤3：把蒸镀有金属薄膜的衬底倒立放在反应炉的托盘上，在衬底与托盘之间形成狭缝；步骤4：提升反应炉温度，通入反应气源，在衬底上生长平面的GaN纳米线；步骤5：关闭气源，将温度降至室温，完成GaN平面纳米线的制备。
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