[发明专利]基于SiGeBiCMOS的有源反馈共射共基跨阻放大器在审
| 申请号： | 201710937100.0 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107749743A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 谢生;武懿;毛陆虹 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F1/48;H03F3/08;H03F3/45 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于SiGe BiCMOS的有源反馈共射共基跨阻放大器，包括电流源和电容、辅助放大器及主放大器，其中，主放大器采用共射共基结构；电流源与电容并联提供光电流的输出，输出端与主放大器共射管的基级相连，另一端接地；辅助放大器采用带负载的共射放大器结构，其输入端接在主放大器共射管的集电极和共基管的发射级上，信号流入辅助放大器所在支路上，经由辅助放大器共射管的进一步放大后，流回主放大器的共基管的基级上，形成有源反馈，以提高主放大器共基管的发射级和基级间的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sigebicmos 有源 反馈 共射共基跨阻 放大器 | ||
【主权项】：
一种基于SiGe BiCMOS的有源反馈共射共基跨阻放大器，包括电流源和电容、辅助放大器及主放大器，其特征在于，辅助放大器及主放大器均采用锗硅异质结双极晶体管SiGe HBT作为的共射级输入。其中，主放大器采用共射共基结构，将输入的电流信号转换为电压信号，共基管的偏置电压由辅助放大器的输出端提供，最后将经过转换、放大后的电压信号输出；电流源与电容并联提供光电流的输出，输出端与主放大器共射管的基级相连，另一端接地；辅助放大器采用带负载的共射放大器结构，其输入端接在主放大器共射管的集电极和共基管的发射级上，信号流入辅助放大器所在支路上，经由辅助放大器共射管的进一步放大后，流回主放大器的共基管的基级上，形成有源反馈，以提高主放大器共基管的发射级和基级间的电压。
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