[发明专利]TFT基板及其制作方法与OLED面板及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT基板及其制作方法与OLED面板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法首先在缓冲层上形成覆盖栅极与有源层的第一层间绝缘层，并将第一层间绝缘层的材料设置为氮氧化硅，能够保护栅极表面的金属铜不被氧化，保证栅极性能稳定，同时防止过多的氢元素被引入到有源层中；进一步的，在第一层间绝缘层上方形成第二层间绝缘层，并将第二层间绝缘层的材料设置为氧化硅，能够避免过多的氢元素被引入到有源层中，保证有源层的性能稳定，提升TFT器件的工作稳定性。本发明的TFT基板采用上述TFT基板的制作方法制得，其栅极与有源层的性能稳定，TFT器件具有较强的工作稳定性。

主权项

一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成遮光层(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖所述遮光层(20)的缓冲层(30)，在所述缓冲层(30)上形成对应于所述遮光层(20)上方的有源层(40)，所述有源层(40)的材料为金属氧化物半导体材料；步骤2、在所述有源层(40)上形成栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上形成栅极(60)，所述栅极(60)与栅极绝缘层(50)上下对齐，所述栅极(60)与栅极绝缘层(50)在有源层(40)上限定出对应于栅极绝缘层(50)下方的沟道区(41)以及分别位于沟道区(41)两侧的源极接触区(42)与漏极接触区(43)；对有源层(40)的源极接触区(42)与漏极接触区(43)进行导体化处理，使源极接触区(42)与漏极接触区(43)的金属氧化物半导体材料变为导体，沟道区(41)的金属氧化物半导体材料保持半导体特性；步骤3、在所述缓冲层(30)上形成覆盖所述栅极(60)与有源层(40)的第一层间绝缘层(71)，所述第一层间绝缘层(71)的材料包括氮氧化硅；在所述第一层间绝缘层(71)上形成第二层间绝缘层(72)，所述第二层间绝缘层(72)的材料包括氧化硅；步骤4、在所述第一层间绝缘层(71)与第二层间绝缘层(72)上形成分别对应于源极接触区(42)与漏极接触区(43)上方的第一通孔(721)与第二通孔(722)；在所述第二层间绝缘层(72)上形成源极(81)与漏极(82)，所述源极(81)与漏极(82)分别通过第一通孔(721)与第二通孔(722)和有源层(40)的源极接触区(42)与漏极接触区(43)电性连接，制得TFT基板(100)。