[发明专利]一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法有效
| 申请号： | 201710922928.9 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107611774B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 曹薇;汤学胜;胡毅;马卫东 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/187;H01S5/30 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法。其中结构包括在硅衬底上制作有硅基微环谐振器、背光探测器和硅基耦合输出波导，谐振器通过高分子聚合物键合到硅基微环谐振器的波导正上方；半导体制冷器设置在硅衬底底部对应与硅基微环谐振器所在区域；硅基微环谐振器的波导下方与硅基耦合输出波导的中间区域建立光信号耦合结构；所述硅基耦合输出波导的一端为出光面，所述硅基耦合输出波导的另一端与所述背光探测器耦合。本发明对有源区在硅光芯片上方，合理利用了空间的深度，空间利用效率更高，做出来的光器件体积更小；集成度高，硅光芯片工艺和CMOS工艺兼容；具有可加工性和可量产性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 调谐 激光器 结构 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基集成可调谐激光器结构，其特征在于，包括：在硅衬底(106)上制作有硅基微环谐振器(101)、背光探测器(102)和硅基耦合输出波导(103)，具体的：谐振器(108)通过高分子聚合物(107)键合到硅基微环谐振器(101)的波导正上方；半导体制冷器(105)设置在硅衬底(106)底部对应与硅基微环谐振器(101)所在区域；硅基微环谐振器(101)的波导下方与硅基耦合输出波导(103)的中间区域建立光信号耦合结构；所述硅基耦合输出波导(103)的一端为出光面，所述硅基耦合输出波导(103)的另一端与所述背光探测器(102)耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司，未经武汉光迅科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710922928.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
