[发明专利]磁阻效应元件有效
| 申请号： | 201710917974.X | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107887506B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;伍飏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种磁阻效应元件，在作为现有的隧道势垒层的材料或比使用了MgAl |
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| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
一种磁阻效应元件，其特征在于，具备层叠体，所述层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、以及第二铁磁性金属层，所述基底层由TiN、NbN、TaN、ZrN或它们的混晶构成，所述隧道势垒层由具有尖晶石结构的下述组成式(1)表示的化合物构成，(1)：AxIn2Oy式中，A为非磁性的二价阳离子，表示选自镁及锌中的1种以上的元素的阳离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。
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