[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述方法在沉积所述活性金属层之前，在衬底基板上沉积第一光阻层，对所述第一光阻层曝光、显影后，通过剥离工艺将栅极层表面的所述第一光阻层与所述活性金属剥离，使得所述栅极层表面未被所述活性金属所覆盖，并利用预定工序使活性金属与部分有源层发生化学反应。有益效果：本发明的制作方法避免了所述活性金属与第一有源层区域中的有源层氧化不完全而导致所述TFT阵列基板的漏电问题；另外，栅绝缘层与所述第一金属层在同一道光罩制程中进行蚀刻工艺，节省了成本，提高了制程效率。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：步骤S30、在栅绝缘层上沉积第一金属层，使用第一光罩对所述第一金属层实施第一光罩制程，以在所述栅绝缘层的表面形成薄膜晶体管的栅极与栅线；步骤S40、在衬底基板上沉积第一光阻层，采用掩模板对所述第一光阻层进行曝光，使所述第一光阻层图案化，形成第一光阻区域；步骤S50、在所述衬底基板上沉积第二金属层；步骤S60、剥离所述第一光阻区域上的光阻，并利用预定工序使所述第二金属层与部分有源层反应，使所述有源层形成第一有源层区域和第二有源层区域；步骤S70、在所述衬底基板上沉积一层层间绝缘层，通过蚀刻工艺在所述层间绝缘层上形成层间绝缘层过孔，以露出所述第一有源层区域；步骤S80、在所述层间绝缘层上沉积第三金属层，使用第二光罩对所述第三金属层实施第二光罩制程，以在所述层间绝缘层的表面形成所述薄膜晶体管的源漏极，并沉积一层钝化层。