[发明专利]硅中空梁、基于硅中空梁的硅微加速度计及其制备方法有效
| 申请号： | 201710909259.1 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107782915B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 肖定邦;吴学忠;侯占强;周剑;卓明;苗桐侨;李青松;欧芬兰 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅中空梁、基于硅中空梁的硅微加速度计及其制备方法，硅中空梁包括由SOI硅片采用干法腐蚀加工工艺形成的梁本体，且其横截面为中空形；微加速度计包括连接为一体的硅敏感结构和硅基板，硅敏感结构包括支撑梁以及敏感质量块组件，支撑梁的横截面为前述的硅中空形梁，敏感质量块组件通过支撑梁固定于固定锚点上；制备方法包括采用干法腐蚀加工制备的硅敏感结构；将硅敏感结构与带有电容板组件和引线电极的硅基板采用硅‑硅低应力键合，得到微加速度计。本发明具有抗干扰能力强、器件面积小、成品率高、成本低、稳定性高、加工质量高、加工鲁棒性好、应用范围广的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 基于 加速度计 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅中空梁，其特征在于：包括由SOI硅圆片采用干法腐蚀加工工艺形成的梁本体，所述梁本体由两条子梁(3)相互平行构成，且两条子梁(3)之间设有中空部(31)，所述中空部(31)以及梁本体两侧的蚀空位(32)均为通过干法腐蚀加工工艺在同一块掩膜板进行干法腐蚀加工形成。
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