[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710907139.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585546A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在基底上形成介质层，介质层中具有贯穿介质层的第一栅开口；在第一栅开口底部形成第一界面层；在第一栅开口的侧壁和底部形成第一栅介质层，第一栅介质层位于第一界面层上；对第一界面层进行退火处理；进行退火处理后，在第一栅开口中形成位于第一栅介质层上的第一栅电极层；在第一栅电极层两侧的介质层中形成第一通孔；在第一通孔底部的基底中形成第一源漏掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 栅开口 半导体器件 栅介质层 界面层 基底 退火处理 栅电极层 通孔 掺杂层 侧壁 源漏 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在基底上形成介质层，介质层中具有贯穿所述介质层的第一栅开口；在第一栅开口底部形成第一界面层；在第一栅开口的侧壁和底部形成位于第一界面层上的第一栅介质层；对第一界面层进行退火处理；进行退火处理后，在第一栅开口中形成位于第一栅介质层上的第一栅电极层；在第一栅电极层两侧的介质层中形成第一通孔；在第一通孔底部的基底中形成第一源漏掺杂层。
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