[发明专利]一种高稳定的单极性阻变存储器

摘要

本发明提供了一种高稳定的单极性阻变存储器，其核心为“化学惰性阳极/氧化物存储介质/化学活性阴极”三层膜结构，氧化物存储介质和化学活性阴极之间自发进行界面反应而形成含有大量氧空位和低价氧化物的界面层；当阳极层和阴极层之间施加电压时，在界面层作用下，氧化物存储介质中形成的导电细丝在阳极附近具有尖端结构，电压发生变化引起的导电细丝形成和断开发生在该尖端附近，因此抑制了导电细丝的随机形成和断开，能够获得高稳定的单极性阻变行为。

主权项

一种高稳定的单极性阻变存储器，在绝缘基体表面具有“阳极/存储介质/阴极”三层膜结构，其特征在于，阳极层位于绝缘基体表面，是具有化学惰性的金属；存储介质层位于阳极层表面，是具有电阻转变性质的氧化物；阴极层位于存储介质层表面，是具有化学活性的金属，阴极层与存储介质层之间通过自发氧化还原反应生成界面层。