[发明专利]一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法有效

专利信息
申请号: 201710905082.8 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN107699954B 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 张海斌;刘红 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: C30B29/68 分类号: C30B29/68;C30B29/02;C30B19/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法,所述超晶格结构是由一系列三十二面体金纳米颗粒密集排布所组成,颗粒平均间距控制在几十纳米到几纳米,整个超晶格呈现为一种单层薄膜形态,可见‑近红外波段范围内其存在两个特征化的等离子体耦合共振峰;自组装制备方法是结合了静电和毛细吸附的共同作用。本发明所选用的试剂和仪器设备简单易得、自组装方式灵活高效,所制备的强耦合金纳米超晶格结构实际面积达到cm2级,且重复性好。本发明为构造设计功能性的新型光学材料和器件奠定了实验基础,对于自组装其他形态的纳米晶结构单元制备大面积的超晶及其应用具有重要的参考价值。
搜索关键词: 一种 耦合 纳米 晶格 结构 及其 组装 制备 方法
【主权项】:
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