[发明专利]一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法有效
| 申请号: | 201710905082.8 | 申请日: | 2017-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN107699954B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
| 发明(设计)人: | 张海斌;刘红 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号: | C30B29/68 | 分类号: | C30B29/68;C30B29/02;C30B19/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: |
本发明公开了一种强耦合的金纳米超晶格结构及其自组装制备方法,所述超晶格结构是由一系列三十二面体金纳米颗粒密集排布所组成,颗粒平均间距控制在几十纳米到几纳米,整个超晶格呈现为一种单层薄膜形态,可见‑近红外波段范围内其存在两个特征化的等离子体耦合共振峰;自组装制备方法是结合了静电和毛细吸附的共同作用。本发明所选用的试剂和仪器设备简单易得、自组装方式灵活高效,所制备的强耦合金纳米超晶格结构实际面积达到cm |
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| 搜索关键词: | 一种 耦合 纳米 晶格 结构 及其 组装 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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