[发明专利]铝衬垫的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710903863.3 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107799396A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 苏允峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铝衬垫的刻蚀方法，包括如下步骤步骤一、在晶圆最顶层的铝层表面生长钝化层；步骤二、采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出铝衬垫的形成区域，进行刻蚀形成铝衬垫；步骤三、去除光刻胶图形；步骤四、进行去除聚合物残留的后处理，包括分步骤步骤41、采用含CF4的干法刻蚀工艺进行处理；步骤42、采用湿法清洗的方法进行处理。本发明有效去除聚合物的残留，避免由于聚合物残留而引起的出货问题以及降低出货后聚合物的存在引出的铝腐蚀问题。 | ||
| 搜索关键词： | 衬垫 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种铝衬垫的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在晶圆最顶层的铝层表面生长钝化层；步骤二、采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出铝衬垫的形成区域，进行所述钝化层和所述铝层的刻蚀形成所述铝衬垫；在形成所述铝衬垫的过程中会形成聚合物残留；步骤三、去除所述光刻胶图形；步骤四、进行去除聚合物残留的后处理，所述后处理包括如下分步骤：步骤41、采用含CF4的干法去胶工艺进行处理；步骤42、采用湿法清洗的方法进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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