[发明专利]一种新型阻变存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710903360.6 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107732011B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;陈达 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型阻变存储器及其制造方法，包括硅片衬底、背电极，硅片衬底上方具有二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上蚀刻有若干圆柱形凹穴，该凹穴与硅片衬底接触处为阻变介质层，阻变介质层上方为硅化物层，硅化物层上方及其对应凹穴的圆周内壁为防金属扩散层，防金属扩散层内为金属顶电极。本发明得到的阻变存储单元具有优异稳定的电阻转变特性，通过引入硅化物层，减小了上电极与阻变介质层之间的势垒电阻，使得阻变介质层发生电阻转变可不受上电极材料的影响，进一步提升了存储单元的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种新型阻变存储器，包括硅片衬底、背电极，其特征在于：硅片衬底上方具有二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上蚀刻有若干圆柱形凹穴，该凹穴与硅片衬底接触处为阻变介质层，阻变介质层上方为硅化物层，硅化物层上方及其对应凹穴的圆周内壁为防金属扩散层，防金属扩散层内为金属顶电极。
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