[发明专利]薄膜晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201710898220.4 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107731929B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 铃木浩司;陈卓;张毅先;张帆;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成多晶硅层；对多晶硅层进行构图工艺，形成有源层；在有源层上沉积栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积栅极金属层，通过构图工艺，采用含有CO的气体作为刻蚀气体对栅极金属层进行干法刻蚀，形成栅极；以栅极为掩膜，对有源层进行离子注入，形成源区和漏区；在栅极上沉积钝化层，并在栅极绝缘层及钝化层形成过孔，并制作源极及漏极。上述薄膜晶体管的制作方法，采用含有CO的气体作为刻蚀气体，生成的反应生成物的蒸气压高，不会粘附到刻蚀腔室内，不会造成腔室污染，且CO气体作为主要的刻蚀气体也不会把栅极金属层下层的栅极绝缘膜刻蚀掉。本发明还提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 以及 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：/n在基板上形成缓冲层；/n在所述缓冲层上形成多晶硅层；/n对所述多晶硅层进行构图工艺，形成有源层；/n在所述有源层上沉积栅极绝缘层；/n在所述栅极绝缘层上沉积栅极金属层，通过构图工艺，采用CO作为主要的刻蚀气体对所述栅极金属层进行干法刻蚀，形成栅极；/n以栅极为掩膜，对所述有源层进行离子注入，形成源区和漏区；/n在所述栅极上沉积钝化层，并在所述栅极绝缘层及所述钝化层形成过孔，并制作源极及漏极。/n
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