[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201710896628.8 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN108807159A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 谢博全;柯忠廷;陈亭纲;黄建中;黄泰钧;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括形成虚置栅极堆迭于基板上，形成间隔物层于虚置栅极堆迭上，形成蚀刻停止层于间隔物层与虚置栅极堆迭上，且蚀刻停止层包括垂直部分与水平部分，并在蚀刻停止层上进行致密化制程，其中致密化制程后的水平部分比垂直部分致密。方法亦包括形成氧化物层于蚀刻停止层上，并在氧化物层及蚀刻停止层上进行回火制程，其中回火制程后的垂直部分比水平部分具有更高的氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻停止层 制程 虚置栅极 堆迭 间隔物层 氧化物层 垂直 致密化 回火 致密 半导体装置 基板 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一虚置栅极堆迭于一基板上；形成一间隔物层于该虚置栅极堆迭上；形成一蚀刻停止层于该间隔物层与该虚置栅极堆迭上，且该蚀刻停止层包含一垂直部分与一水平部分；在该蚀刻停止层上进行一致密化制程，其中该致密化制程之后的该水平部分比该垂直部分致密；形成一氧化物层于该蚀刻停止层上；在该氧化层与该蚀刻停止层上进行一回火制程，其中该回火制程后的该垂直部分的氧浓度大于该水平部分的氧浓度；形成多个源极与漏极区于该基板中；移除该虚置栅极堆迭以形成一开口；以及形成一置换栅极堆迭于该开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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