[发明专利]一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计有效

专利信息
申请号: 201710891721.X 申请日: 2017-09-27
公开(公告)号: CN107645123B 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 翁国恩;陈少强;胡小波;梅洋 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: H01S5/30 分类号: H01S5/30;H01S5/323;H01S5/06;H01S5/183
代理公司: 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 代理人: 董红曼
地址: 200062 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及氮化物半导体垂直腔面发射激光器领域,公开了一种多波长GaN基垂直腔面发射激光器的有源区结构设计方法,包括对激光器腔长、量子点位置以及量子点尺寸的设计;通过对多层量子点的尺寸和其在谐振腔内空间位置的精确设计,使得不同尺寸量子点的发光与对应的腔模及腔内的驻波光场实现最大程度的耦合,从而使得多个激光模式同时获得足够大的增益并最终实现稳定的多波长激光输出。同时,本发明还提供了采用这种有源区制作的多波长GaN基垂直腔面发射激光器的具体器件结构及其应用。
搜索关键词: 一种 波长 gan 垂直 发射 激光器 有源 结构设计
【主权项】:
一种多层堆叠量子点的有源区结构设计方法,其特征在于,所述方法具体包括以下步骤:(1)根据激光的出射波长设计激光器的腔长;(2)根据激光的出射波长设计量子点的尺寸,使得不同尺寸量子点层的发光中心波长与对应的激光的出射波长相匹配;(3)计算各个激光的出射波长对应的光场在谐振腔内的空间分布,然后将与激光的出射波长对应的不同尺寸的量子点层置于对应光场的波腹处,使不同尺寸量子点层与各自对应光场之间的耦合达到最强,从而得到所述多层堆叠量子点的有源区结构。
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